1、MOSFET、IGBT、GaN的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)：器件結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計(jì)、新老產(chǎn)品性能優(yōu)化與良率提升、器件測(cè)試與可靠性考核、跟蹤客戶(hù)整機(jī)應(yīng)用測(cè)試、完成編寫(xiě)產(chǎn)品規(guī)格書(shū)；

2、與晶圓代工廠和封裝代工廠日常對(duì)接：設(shè)計(jì)制定工藝流程和測(cè)試程序、設(shè)計(jì)流片實(shí)驗(yàn)方案與封裝實(shí)驗(yàn)方案、完成編寫(xiě)封裝規(guī)格書(shū)與芯片規(guī)格書(shū)；

3、專(zhuān)利與論文的編寫(xiě)：包括但不限于器件結(jié)構(gòu)、制造工藝、封裝結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品應(yīng)用等，研究與分析國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體功率器件公司的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新封裝與各類(lèi)應(yīng)用；

4、配合質(zhì)量人員完成質(zhì)量體系的建立與完善。

崗位要求：

1、年齡：25-42歲之間，性別不限；

2、學(xué)歷及專(zhuān)業(yè)：本科及以上學(xué)歷，微電子相關(guān)專(zhuān)業(yè)，碩士?jī)?yōu)先。

3、有2年以上的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司或半導(dǎo)體晶圓代工廠TD/PIE工作經(jīng)驗(yàn)，有產(chǎn)品設(shè)計(jì)與工藝整合經(jīng)驗(yàn)；高壓IGBT、coolmos、SIC mos、FRD研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

4、熟悉MOSFET、IGBT、二三極管、寬禁帶半導(dǎo)體理論基礎(chǔ)；

5、能夠使用英文讀寫(xiě)，熟悉電子電路與整機(jī)應(yīng)用者優(yōu)先；

6、做事認(rèn)真、細(xì)致，責(zé)任心強(qiáng)，有團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神，善于挑戰(zhàn)。